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评论：CX4HN60超高dv/dt耐量高速开关可靠性超低功耗超低Rdson Qg 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)超低输出电容高压超结MOSFET产品用于计算机主板电源服务器/通信领域适配器液晶和等离子平板电视
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CX4HN60NeoFET基于先进的深槽填充工艺，是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较，本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制，NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源，服务器/通信领域，适配器，液晶和等离子平板电视，照明，UPS以及工业电源应用领域 ● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V，ID=2.8A ● 超高dv/dt耐量 ● 高速开关可靠性 ● 超低功耗，超低Rdson*Qg ● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC) ● 超低输出电容 ● 100%雪崩耐量测试
 
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