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CXMS5213 N沟道增强型功率场效应管（MOSFET）采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺特别适用于减小导通电阻移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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本站网友 oumao18
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2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5213系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。 z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
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