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CXLE86XX系列SEPIC恒流产品设计指南
发表时间:2025-05-01 浏览次数:1
CXLE86XX系列快速选择表1pH嘉泰姆
典型应用电路图1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
系统应用设计1pH嘉泰姆
电感选择
1pH嘉泰姆
➢SEPIC转换器中的两个电感可使用两个独立电感,也可使用同轴磁芯的耦合电感,使用耦合电感可获得更高的转换效率与更好的性能。1pH嘉泰姆
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VD为最大输出电流条件下,输出续流二极管的压降。1pH嘉泰姆
➢开关电流等于IL1+IL2,最大开关电流平均值计算如下:1pH嘉泰姆
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➢最大开关电流峰值计算如下:1pH嘉泰姆
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➢开关纹波电流:1pH嘉泰姆
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➢电感纹波电流:1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
➢连续模式电感最小值计算公式如下:1pH嘉泰姆
➢使用分离电感时:1pH嘉泰姆
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➢使用耦合电感时:1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
➢电感峰值电流:1pH嘉泰姆
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➢选用低直流电阻的电感可获得更高的转换效率
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输入电容1pH嘉泰姆
➢一般条件下,输入电容容量选择在10uF~100uF之间,只需要RMS电流满足即可,输入电容RMS电流计算如下:1pH嘉泰姆
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➢输入电容耐压按照1.5*VINMAX进行选择;1pH嘉泰姆
➢在未使用陶瓷电容时,建议在输入电容上并联一个0.1uF~1uF的高频贴片陶瓷电容进行高频去耦。
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计算最大输出电流1pH嘉泰姆
➢SEPIC转换器内部电流限制的是功率管与电感上的峰值电流ΔIL,最大输出电流取决于输出电压、最小输入电压、ΔIL与效率,计算如下(预留10%以上裕量):1pH嘉泰姆
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输出电流设计1pH嘉泰姆
➢FB为芯片内部基准误差放大器输入端,内部基准稳定在0.22V;1pH嘉泰姆
➢FB通过检测外部采样电阻电压,对输出电流进行调整,输出电流计算公式为:1pH嘉泰姆
       ILED =0.22V/RCS1pH嘉泰姆
     采样电阻功率为:PRCS =0.22V * ILED1pH嘉泰姆
➢输出电流精度取决于芯片VFB精度、RCS精度,选择精度更高的电阻可以1pH嘉泰姆
    获得精度更高的输出电压,RCS精度需要控制在±1%以内。
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续流二极管选择1pH嘉泰姆
➢续流二极管需要选择肖特基二极管,肖特基二极管VF值越低,转换效率越高;1pH嘉泰姆
➢续流二极管额定电流值大于最大输出电流的1.5倍;1pH嘉泰姆
➢续流二极管反向耐压大于最大输入电压与输出电压之和,建议预留30%以上裕量。
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耦合电容选择1pH嘉泰姆
➢耦合电容CDC耐压大于最大输入电压与输出电压之和,建议预留30%以上裕量;1pH嘉泰姆
➢耦合电容容量计算如下:1pH嘉泰姆
   1pH嘉泰姆
➢耦合电容RMS电流计算如下:1pH嘉泰姆
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输出电容选择1pH嘉泰姆
➢在输出端应选择低ESR电容以减小输出纹波电压。1pH嘉泰姆
➢输出电容容量与输出电压纹波计算如下:1pH嘉泰姆
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➢VCOUT≥1.5*VOUT;1pH嘉泰姆
➢输出电容最小RMS电流计算如下:1pH嘉泰姆
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PCB设计注意事项1pH嘉泰姆
➢VIN,GND,SW,VOUT+,VOUT-是大电流途径,注意走线宽度,减小寄生参数对系统性能影响;1pH嘉泰姆
➢输入电容靠近芯片VIN与GND放置,电解电容+贴片陶瓷电容组合使用;1pH嘉泰姆
➢FB走线远离电感与肖特基等有开关信号地方,哪里需要稳定就反馈哪里,FB走线使用地线包围较佳;1pH嘉泰姆
➢芯片、电感、肖特基为主要发热器件,注意PCB热量均匀分配,避免局部温升高。
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设计实例1pH嘉泰姆
系统输入输出规格参数
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➢输入电压:VIN=10V~30V,典型值为12V;1pH嘉泰姆
➢输出电压:VOUT=13.2V;1pH嘉泰姆
➢输出电流:IOUT=1.2A;1pH嘉泰姆
➢转换效率:η=87%;1pH嘉泰姆
➢输出电压纹波:1%*VOUT;1pH嘉泰姆
➢芯片选用CXLE8605;1pH嘉泰姆
➢开关频率:FSW= 180KHz。
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选择电感:1pH嘉泰姆
选择电感:1pH嘉泰姆
使用分离电感时:1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
使用耦合电感时:1pH嘉泰姆
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选择分离电感时,L1,L2电感量为110uH,饱和电流3A;1pH嘉泰姆
选择耦合电感时,L1,L2电感量为56uH,饱和电流3A。
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计算输入电容:1pH嘉泰姆
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VCIN=1.5*VINMAX=1.5*30=45V1pH嘉泰姆
选择CIN容量100uF,RMS电流大于170mA,耐压大于等于45V。
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计算采样电阻:1pH嘉泰姆
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可以使用2个0.36Ω并联,考虑到功率,可以选择1206封装。为了保证精度,请至少选用1%的电阻。
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续流二极管选择:1pH嘉泰姆
➢二极管额定电流:ID=1.2*IOUT=1.5*1.2=1.8A1pH嘉泰姆
➢反向耐压:VINMAX+VOUT=30+13.2=43.2V1pH嘉泰姆
➢选择2A,60V肖特基。
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选择输出电容:1pH嘉泰姆
➢输出电容容量:1pH嘉泰姆
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➢输出电容ESR:
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选择输出电容:1pH嘉泰姆
➢VCOUT≥1.5*VOUT=1.5*13.2V=19.8V1pH嘉泰姆
➢输出电容最小RMS电流计算如下:1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
➢选择25V,容量大于68uF,RMS电流大于1402mA电解电容。
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选择耦合电容:1pH嘉泰姆
➢耦合电容耐压,VCDC≥VINMAX+VOUT=30+13.2=43.2V1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
➢选择60V,容量大于100uF,RMS电流大于1402mA电解电容。
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常见问题与解决方案1pH嘉泰姆
➢Q1.输入正负极接反芯片损坏1pH嘉泰姆
➢解决方案:添加防反接电路(右图蓝色虚1pH嘉泰姆
线框中电路)。1pH嘉泰姆
Q1:VDS≥1.5*VINMAX;1pH嘉泰姆
DZ1:VDZ1=10V,500mW;1pH嘉泰姆
R3:20K;1pH嘉泰姆
R4:20K。1pH嘉泰姆
➢Q2.输入尖峰电压损坏芯片1pH嘉泰姆
➢解决方案一:输入添加瞬态尖峰电压吸收电路(右图蓝色虚线框中电路) ;1pH嘉泰姆
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D2:VD2=1.2*VINMAX≤40V1pH嘉泰姆
➢解决方案二:输入添加过压保护电路(右图红色虚线框中电路) 。1pH嘉泰姆
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Q1:VDS≥1.5*VINMAX;1pH嘉泰姆
DZ1:VDZ1=1.2*VINMAX≤40V,500mW;1pH嘉泰姆
DZ2:VDZ2=10V,500mW;1pH嘉泰姆
R1,R3,R4,R5,R6:20K;1pH嘉泰姆
R2:10K;1pH嘉泰姆
Q2,Q3:VCE≥1.5*VINMAX。1pH嘉泰姆
➢Q3.如何调光1pH嘉泰姆
➢更改采样电阻RCS;1pH嘉泰姆
➢PWM信号变化占空比调节输出电压(见右图) 。1pH嘉泰姆
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满足下公式:1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
➢使用模拟调光(见右图),1pH嘉泰姆
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满足下公式:1pH嘉泰姆
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可以通过改变VA电压实现调光,也可以通过改变R2阻值实现调光。1pH嘉泰姆
➢Q4.输出短路保护怎么实现1pH嘉泰姆
➢解决方案:输出添加短路保护电路(右图蓝色虚线框中电路)1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
Q1:VDS≥1.5*VOUT;ID≥2*IOUTRDS越小损耗越小,Q1发热量越低。1pH嘉泰姆
➢Q5.转换效率1pH嘉泰姆
➢测试误差:用万用表测试输入电压、输入电流、输出电压、输出电流进行计算转换效率,不能使用电源、1pH嘉泰姆
   负载自带显示的数据,误差较大;1pH嘉泰姆
➢PCB布线:确保大电流途径走线宽度,减少寄生参数对系统性能影响,输入电容靠近芯片VIN与GND放置;1pH嘉泰姆
➢元器件参数:系统正常工作时,电感与肖特基对效率影响较大,推荐使用低VF值的肖特基,磁芯损耗较小的功率电感并确保饱和电流能力足够,一般情况下,环形铁硅铝磁芯的电感比黄白环铁粉芯的电感效率高5%左右
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➢Q6.输入欠压保护怎么实现1pH嘉泰姆
➢解决方案:输入添加欠压保护电路。1pH嘉泰姆
DZ1:VDZ1=欠压保护电压,500mW;1pH嘉泰姆
DZ2:VDZ2=10V,500mW;1pH嘉泰姆
Q1:VDS≥1.5*VINMAX,ID ≥2*IINMAX;1pH嘉泰姆
Q2:VCE≥1.5*VINMAX;1pH嘉泰姆
R4,R5:20K;1pH嘉泰姆
R3,R6:30K。
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➢Q7.CXLE8604、CXLE8605芯片背铁电气属性1pH嘉泰姆
➢背铁电气属性与芯片第3脚一致。1pH嘉泰姆
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➢Q8.怎么关闭芯片不工作1pH嘉泰姆
➢解决方案一:FB加高电平,芯片不工作(右上图);1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
V1:2.5≤V1≤VIN。1pH嘉泰姆
➢解决方案二:输入加MOS关断(右下图虚线框中电路),输出等于0。1pH嘉泰姆
1pH嘉泰姆
V2:V2≤0.6V关闭输出,V2≥1.4V打开Q1,恢复输出;1pH嘉泰姆
Q1:VDS≥1.5*VINMAX;1pH嘉泰姆
DZ1:VDZ1=10V,500mW;1pH嘉泰姆
R1,R2,R4:20K;1pH嘉泰姆
R3:30K;1pH嘉泰姆
Q2:VCE≥1.5*VINMAX。
1pH嘉泰姆
➢Q9.芯片不工作1pH嘉泰姆
➢添加欠压保护的应用中,确认欠压保护电路参数是否有误(DZ2取值不合适,EN脚对地电压低于0.8V);1pH嘉泰姆
➢Q10.输出电流与设定值差异较大1pH嘉泰姆
➢确认FB走线是否靠近开关器件;1pH嘉泰姆
➢输入电容是否靠近芯片VIN与GND放置;1pH嘉泰姆
➢输出电容容量是否足够;1pH嘉泰姆
➢大电流途径PCB走线宽度是否足够;1pH嘉泰姆
➢电感是否为功率电感,电感量与电流能力是否足够;1pH嘉泰姆
➢续流二极管是否选择为肖特基。