

系统应用设计
电感选择
➢SEPIC转换器中的两个电感可使用两个独立电感,也可使用同轴磁芯的耦合电感,使用耦合电感可获得更高的转换效率与更好的性能。

VD为最大输出电流条件下,输出续流二极管的压降。
➢开关电流等于IL1+IL2,最大开关电流平均值计算如下:

➢最大开关电流峰值计算如下:

➢开关纹波电流:

➢电感纹波电流:

➢连续模式电感最小值计算公式如下:
➢使用分离电感时:

➢使用耦合电感时:

➢电感峰值电流:

➢选用低直流电阻的电感可获得更高的转换效率。
输入电容
➢一般条件下,输入电容容量选择在10uF~100uF之间,只需要RMS电流满足即可,输入电容RMS电流计算如下:

➢输入电容耐压按照1.5*VINMAX进行选择;
➢在未使用陶瓷电容时,建议在输入电容上并联一个0.1uF~1uF的高频贴片陶瓷电容进行高频去耦。
计算最大输出电流
➢SEPIC转换器内部电流限制的是功率管与电感上的峰值电流ΔIL,最大输出电流取决于输出电压、最小输入电压、ΔIL与效率,计算如下(预留10%以上裕量):

输出电流设计
➢FB为芯片内部基准误差放大器输入端,内部基准稳定在0.22V;
➢FB通过检测外部采样电阻电压,对输出电流进行调整,输出电流计算公式为:
ILED =0.22V/RCS
采样电阻功率为:PRCS =0.22V * ILED
➢输出电流精度取决于芯片VFB精度、RCS精度,选择精度更高的电阻可以
获得精度更高的输出电压,RCS精度需要控制在±1%以内。
续流二极管选择
➢续流二极管需要选择肖特基二极管,肖特基二极管VF值越低,转换效率越高;
➢续流二极管额定电流值大于最大输出电流的1.5倍;
➢续流二极管反向耐压大于最大输入电压与输出电压之和,建议预留30%以上裕量。
耦合电容选择
➢耦合电容CDC耐压大于最大输入电压与输出电压之和,建议预留30%以上裕量;
➢耦合电容容量计算如下:

➢耦合电容RMS电流计算如下:

输出电容选择
➢在输出端应选择低ESR电容以减小输出纹波电压。
➢输出电容容量与输出电压纹波计算如下:

➢VCOUT≥1.5*VOUT;
➢输出电容最小RMS电流计算如下:

PCB设计注意事项
➢VIN,GND,SW,VOUT+,VOUT-是大电流途径,注意走线宽度,减小寄生参数对系统性能影响;
➢输入电容靠近芯片VIN与GND放置,电解电容+贴片陶瓷电容组合使用;
➢FB走线远离电感与肖特基等有开关信号地方,哪里需要稳定就反馈哪里,FB走线使用地线包围较佳;
➢芯片、电感、肖特基为主要发热器件,注意PCB热量均匀分配,避免局部温升高。
设计实例
系统输入输出规格参数
➢输入电压:VIN=10V~30V,典型值为12V;
➢输出电压:VOUT=13.2V;
➢输出电流:IOUT=1.2A;
➢转换效率:η=87%;
➢输出电压纹波:1%*VOUT;
➢芯片选用CXLE8605;
➢开关频率:FSW= 180KHz。
选择电感:

使用分离电感时:

使用耦合电感时:

选择分离电感时,L1,L2电感量为110uH,饱和电流3A;
选择耦合电感时,L1,L2电感量为56uH,饱和电流3A。
计算输入电容:

VCIN=1.5*VINMAX=1.5*30=45V
选择CIN容量100uF,RMS电流大于170mA,耐压大于等于45V。
计算采样电阻:

可以使用2个0.36Ω并联,考虑到功率,可以选择1206封装。为了保证精度,请至少选用1%的电阻。
续流二极管选择:
➢二极管额定电流:ID=1.2*IOUT=1.5*1.2=1.8A
➢反向耐压:VINMAX+VOUT=30+13.2=43.2V
➢选择2A,60V肖特基。
选择输出电容:
➢输出电容容量:

➢输出电容ESR:

选择输出电容:
➢VCOUT≥1.5*VOUT=1.5*13.2V=19.8V
➢输出电容最小RMS电流计算如下:

➢选择25V,容量大于68uF,RMS电流大于1402mA电解电容。
选择耦合电容:
➢耦合电容耐压,VCDC≥VINMAX+VOUT=30+13.2=43.2V

➢选择60V,容量大于100uF,RMS电流大于1402mA电解电容。
常见问题与解决方案
➢Q1.输入正负极接反芯片损坏
➢解决方案:添加防反接电路(右图蓝色虚
线框中电路)。
Q1:VDS≥1.5*VINMAX;
DZ1:VDZ1=10V,500mW;
R3:20K;
R4:20K。
➢Q2.输入尖峰电压损坏芯片
➢解决方案一:输入添加瞬态尖峰电压吸收电路(右图蓝色虚线框中电路) ;

D2:VD2=1.2*VINMAX≤40V
➢解决方案二:输入添加过压保护电路(右图红色虚线框中电路) 。

Q1:VDS≥1.5*VINMAX;
DZ1:VDZ1=1.2*VINMAX≤40V,500mW;
DZ2:VDZ2=10V,500mW;
R1,R3,R4,R5,R6:20K;
R2:10K;
Q2,Q3:VCE≥1.5*VINMAX。
➢Q3.如何调光
➢更改采样电阻RCS;
➢PWM信号变化占空比调节输出电压(见右图) 。

满足下公式:

➢使用模拟调光(见右图),

满足下公式:

可以通过改变VA电压实现调光,也可以通过改变R2阻值实现调光。
➢Q4.输出短路保护怎么实现
➢解决方案:输出添加短路保护电路(右图蓝色虚线框中电路)

Q1:VDS≥1.5*VOUT;ID≥2*IOUTRDS越小损耗越小,Q1发热量越低。
➢Q5.转换效率低
➢测试误差:用万用表测试输入电压、输入电流、输出电压、输出电流进行计算转换效率,不能使用电源、
负载自带显示的数据,误差较大;
➢PCB布线:确保大电流途径走线宽度,减少寄生参数对系统性能影响,输入电容靠近芯片VIN与GND放置;
➢元器件参数:系统正常工作时,电感与肖特基对效率影响较大,推荐使用低VF值的肖特基,磁芯损耗较小的功率电感并确保饱和电流能力足够,一般情况下,环形铁硅铝磁芯的电感比黄白环铁粉芯的电感效率高5%左右。
➢Q6.输入欠压保护怎么实现
➢解决方案:输入添加欠压保护电路。
DZ1:VDZ1=欠压保护电压,500mW;
DZ2:VDZ2=10V,500mW;
Q1:VDS≥1.5*VINMAX,ID ≥2*IINMAX;
Q2:VCE≥1.5*VINMAX;
R4,R5:20K;
R3,R6:30K。
➢Q7.CXLE8604、CXLE8605芯片背铁电气属性
➢背铁电气属性与芯片第3脚一致。

➢Q8.怎么关闭芯片不工作
➢解决方案一:FB加高电平,芯片不工作(右上图);

V1:2.5≤V1≤VIN。
➢解决方案二:输入加MOS关断(右下图虚线框中电路),输出等于0。

V2:V2≤0.6V关闭输出,V2≥1.4V打开Q1,恢复输出;
Q1:VDS≥1.5*VINMAX;
DZ1:VDZ1=10V,500mW;
R1,R2,R4:20K;
R3:30K;
Q2:VCE≥1.5*VINMAX。
➢Q9.芯片不工作
➢添加欠压保护的应用中,确认欠压保护电路参数是否有误(DZ2取值不合适,EN脚对地电压低于0.8V);
➢Q10.输出电流与设定值差异较大
➢确认FB走线是否靠近开关器件;
➢输入电容是否靠近芯片VIN与GND放置;
➢输出电容容量是否足够;
➢大电流途径PCB走线宽度是否足够;
➢电感是否为功率电感,电感量与电流能力是否足够;
➢续流二极管是否选择为肖特基。